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布局下一代光通信技术 联电牵手哈佛系初创量产TFLN平台

2026-03-12 来源:财联社
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财联社3月12日讯(编辑 史正丞)晶圆代工大厂联电(UMC)周四宣布,与来自哈佛大学纳米光学实验室的创业企业HyperLight建立制造伙伴关系,加速量产后者的TFLN Chiplet(薄膜铌酸锂晶片)平台。

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(来源:公司公告)

据悉,HyperLight此前已经与联电旗下的联颖光电(Wavetek)将TFLN光子技术从实验室创新推进到面向客户的6英寸晶圆制造产线。在此基础上,联电将进一步提供8英寸晶圆生产能力,以满足AI基础设施大规模部署所带来的生产需求。

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(来源:HyperLight、联电)

当前主流的硅光子技术,是将包括调制器在内的所有光学器件都构建在硅基材料之上。随着科技公司希望更好地实现电子电路与光传输的集成,这一路线目前是更为成熟、应用更广的技术路径。不过,该技术仍存在一些局限,例如功耗较高、速度受限等问题,因此业界开始关注能够突破这些瓶颈的新材料。

联电资深副总经理洪圭钧对媒体介绍称,为了实现1.6T(每秒)及更高的带宽,薄膜铌酸锂正成为一种前景向好的材料,有望支撑下一代数据中心互连所需的超高带宽。

洪圭钧也表示,预计到2027年,公司将推出自有光子技术平台,能够将光子系统与其内部的先进封装能力进行整合,从而为客户提供完整的一体化解决方案。

HyperLight首席执行官张勉表示,薄膜铌酸锂一直被认为是光互连未来最重要的技术之一,但业界一直在等待走向真正规模制造的路径。

张勉特别强调,TFLN Chiplet平台自设计之初便以支持AI基础设施的大规模量产为目标,整合了数据中心短距离可插拔模块、长距离相干数据通信与电信模块,以及共封装光学(CPO)等应用场景

值得一提的是,联电也在押注硅光子赛道。去年12月,联电与比利时半导体研究机构imec签署技术授权协议,引入后者开发的iSiPP300硅光子制造工艺。借助这项技术,联电将推出基于12英寸晶圆的硅光子平台。

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